原标题：科技城|国内企业DRAM专利储备不足，企业如何追赶
1970年代以来，全球DRAM主要厂商历经三次重构，持续有效的大量关键核心技术专利储备助推日企1985年反超美企、韩企1995年反超日企。当前，国内DRAM市场需求量激增，DRAM产业体系开始建立，在全球产业格局仍在加速重构的背景下，中国企业既有反超机遇，也有被卡脖子的风险。赛迪研究院知识产权研究所认为，中国DRAM领军企业在追赶之路上需高度重视关键核心技术专利储备。
一、专利储备是DRAM产业格局重构的助推器
迄今为止，DRAM产业格局主要历经三次重构，大量的专利储备是其重要推动力量。
第一阶段：美企主导。1974年以前，全球DRAM专利均掌握在以英特尔、德州仪器和IBM为代表的美国企业（合称第1代企业）手中，英特尔在1974年占据了全球82.9%的市场份额。第二阶段：日企主导。1976年，以东芝、日立、三菱为龙头的日本企业（合称第2代企业）从专利总量上形成了对第1代企业的反超；后续经过长达十年的专利储备积累，1985年在市场占有率上首次超过第1代企业，拿下全球80%以上的市场份额。第三阶段：美韩主导。上世纪90年代，以三星、海力士和美光为代表的美韩企业（合称第3代企业）结束了第2代企业专利储备遥遥领先的局面（1995年专利年申请量实现超越，2004年专利申请总量实现超越）；1992年三星首超第2代企业，DRAM专利全球市场占有率名列第一。
可见，没有大量关键核心技术的专利储备，就没有美、日、韩DRAM产业的成长和发展。没有领军企业在关键核心技术专利储备方面的久久为功，就没有日企对美企的反超、韩企对日企的反超，更没有DRAM产业主要厂商格局的加速演进和重构。
表 1全球DRAM产业格局三次重构情况
图1三代DRAM企业专利申请量年度趋势
二、国内企业专利布局与美日韩企业存在差距
与美、韩等第3代巨头企业相比，国内企业专利储备实力不够。第3代企业维持了近10年超1.5倍的专利年申请量，才实现对第2代企业专利储备的反超，反超后仍持续发力，2017-2019年三年间专利年申请量均超过1000件。反观国内企业，一方面进入DRAM产业较晚，目前虽有企业已实现量产，但专利储备与国际巨头相差悬殊。比如，国内DRAM领军企业长鑫2017-2019三年间年平均申请量仅为163件。现阶段DRAM领域全球专利年申请量与20年前已不可同日而语，中国企业要想实现产业追赶，还需在专利储备上持续下真功夫、下大功夫。
图2 国内DRAM企业年度申请趋势
与美、日等第1代和第2代退市企业相比，国内企业专利储备仍有不足。美、日等国第1代和第2代企业陆续退出DRAM市场后，仍保持着一定量的专利年申请量，比如英特尔、IBM、东芝等企业。英特尔1985年暂别DRAM市场后，一直并未放弃在全球DRAM领域的专利布局，即使是在2002年后，其专利年申请量也维持在100件以上，甚至略高于国内DRAM领军企业。尽管英特尔申请的大多为存储器外围控制电路专利，但其大量的基础核心专利储备极有可能成为国内领军企业追赶之路上的拦路虎，甚至成为国内DRAM产业创新发展的风险源。
三、几点建议
对标国际巨头，持续强化领军企业关键核心技术专利储备。从专利储备来看，中国DRAM企业专利年申请量需达1500件以上且持续8-10年，才能与第3代企业持平。建议国内DRAM领军企业对标三星、海力士、美光等国际巨头的专利储备量，紧盯国际标杆企业，从数量上追赶、从质量上提升，在专利布局上进行全面的跟踪监测，不断进行技术创新、专利积累、市场拓展协同推进、有序深化、持续发力，最终实现市场占有率的反超。找准突破口，多渠道支持国内企业实现追赶。目前，无电容存储是国内外主要企业及科研院所认可且关注的一项新技术。从专利看，无电容存储技术国内起步时间与国际同行接近，专利总量差距也不是很大（美227件、韩77件、日55件、中40件），国内DRAM企业可以该技术为切入点，找准实现赶超的突破口。同时，充分发挥中国新型举国体制的制度优势和超大规模的市场优势，全要素、全产业链聚合创新、资本、人才等资源，细化专项扶持的关键环节和专利储备重点，精准施策，助力国内DRAM领军企业加速超越之路。国内企业形成合力，联合对抗巨头打压。从产业链协同攻关和产业基础再造的战略需求出发，构建以企业为主体、产学研用深度融合的DRAM产业专利储备联盟，协同开展关键核心技术的专利储备和布局。支持科研院所、高校、创新中心对DRAM产业关键环节的卡脖子技术进行联合攻坚，形成一批产业化导向的专利储备。充分发挥行业组织贴近产业、贴近企业、联络政府的作用，引导产业链上下游企业建立关键核心技术专利跟踪和监测机制，协同运用专利储备，形成专利保护合力；筛选优质的第三方知识产权机构组织构建DRAM专利池，合力应对国外巨头企业的遏制、打压和专利滥用。
（作者毛文侠、李新、张义忠、刘亦玮均来自赛迪智库）
